전도성 고분자를 만드는 방법 중 하나로 혼입(混入, doping)이 있는데, 이 중 n-type doping은 가전자대와 전도대의 에너지 차이가 큰 경우, 전자 수용체(Electron acceptor)를 사용하여 가전자대(Valence band)로부터 전자를 제거하는 방법인 p-type doping과 달리, 전자도너(Electron donor) 즉 전자 공여체로서 전도대(Conduction band)에 전자를 공유하여 고분자 반도체를 만드는 방법을 의미한다.