게르마늄을 소재(素材)로 사용한 반도체 다이오드. 무선수신기의 검파기를 비롯하여 게이트 회로 소자(素子) · 정류기에 쓰인다.

1941년 독일의 지멘스사(社)에 의해 개발된 후 제2차 세계대전 이래 반도체 기술의 발달과 더불어 초고주파 검파기 등에 응용되고 전자관을 대신하는 각종 반도체 소자가 출현하는 실마리를 열었으며 특히 트랜지스터 · 터널(에사키) 다이오드의 발명에 직접 기여했다.

용도 및 성능에 따라 점접촉 다이오드, 접합 다이오드 가변용량(可變容量)다이오드, 더블베이스 다이오드, 4층(pnpn) 다이오드, 터널 다이오드 등이 있다.

그 중 점접촉 다이오드가 가장 잘 알려져 있는데, 이 다이오드의 결점인 순방향 저항(順方向抵抗)이 높고 기계적으로 약한 점을 개량한 것으로 골드본드 다이오드 및 실버본드 다이오드가 있다.

그러나 60년대부터는 특성이 더좋은 실리콘 다이오드로 대체되었다.