금속산화물반도체 [metal oxide semiconductor : MOS, 金屬酸化物半導體]

반도체 산화피막을 이용한 단극전계(單極電界) 효과형 트랜지스터의 하나.
반도체 위에 실리콘 산화막을 형성하고, 이에 금속 게이트를 배치한 구조로 되어 있다. 이 방식의 트랜지스터를 MOS 트랜지스터라고 하며, MOS 트랜지스터를 기본 구성소자(構成素子)로 하는 집적회로를 MOS-IC라고 한다. 쌍극성형(雙極性型)과 달리 진공관과 같은 단극성(單極性)이며 게이트에는 +, - 어느 전압도 걸 수가 있어 역(逆)바이어스가 불필요하며 게이트의 입력 임피던스가 대단히 높은 특징을 가지고 있다. MOS-IC는 가공회수가 적고 고밀도로 집적되므로 경제성이 우수하여 ISI나 IC 기억장치에 널리 사용된다.
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- 금속의 전자이론 [electron theory of metals, 金屬-電子理論] 2016.10.25
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