갈륨(I)화합물, 갈륨(II)화합물, 갈륨(Ⅲ)화합물이 존재한다. 보통 화합물에서의 갈륨은 양 3가이지만 양 1가 및 2가의 갈륨을 포함한 화합물도 보고되어 있다. 착화합물로서는 플루오로 착염, M3I[GaF6] 및 , 옥살라토 착염 M3I[Ga(C2O4)3]ㆍ3H2O, 아세틸아세토나토 착염 Ga(acac)3 등이 알려져 있는데 클로로 착염, 브로모 착염을 만드는 경향은 플루오로 착염에 비해 작다. 유기 갈륨 화합물 GaR3(R＝CH3, C2H5, C6H5 등)은 공기 중에서 산화되어 자연스럽게 발화하고 물에 의해 분해되는데, 그들 반응은 유기 알루미늄 화합물의 경우만큼 심하지는 않다. ① 갈륨(I)화합물. 할로겐화물은 대단히 불안정하여 순수한 상태로는 얻기 어려우나 GaX₂(X=Cl, Br, I)로 표시되는 화합물에서는 임이 밝혀져 있다. 또 을 500℃에서 환원하면 얻을 수 있는 (어두운 색의 고체), 황화수소와 금속갈륨을 가열하면 나오는 (흑색 고체)에는 Ga(I)의 존재가 확인되어 있다. ② 갈륨(II)화합물. GaS, GaSe, GaTe 등에서는 이를테면 S-Ga-Ga-S 층이 쌓인 6방격자로서 Ga(Ⅱ)가 존재할 것으로 보고 있다. ③ 갈륨(Ⅲ)화합물. 보통 화합물로서 원소 사이의 반응, 또는 산화물을 산에 녹이면 얻는다. 할로겐화물 · 질산염 · 황산염 · 과염소산염은 물에 잘 녹고, 수용액에 수산화알칼리를 가하면 수산화물이 침전한다. 수산화물은 과량의 알칼리에 녹아 갈륨산염이 되며 암모니아수에도 녹는다. 그 밖에 일반적으로 알루미늄염과 비슷한 성질을 보여 준다.  등도 잘 알려져 있다. 반도체인 인화갈륨, 비소화갈륨, 또는 수소화알루미늄산염과 비슷한 겹수소화물 등도 있다. 착화합물로서는 플루오로 착염, M₃^I[GaF₆] 및 , 옥살라토 착염 M₃^I[Ga(C₂O₄)₃]ㆍ3H₂O, 아세틸아세토나토 착염 Ga(acac)₃ 등이 알려져 있는데 클로로 착염, 브로모 착염을 만드는 경향은 플루오로 착염에 비해 작다. 유기 갈륨 화합물 GaR₃(R＝CH₃, C₂H₅, C₆H₅ 등)은 공기 중에서 산화되어 자연스럽게 발화하고 물에 의해 분해되는데, 그들 반응은 유기 알루미늄 화합물의 경우만큼 심하지는 않다.