트랜지스터

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입체 구조의 칩 설계 및 공정 기술로, 기존 평면 구조의 반도체 칩보다 전류 능력이 향상되었다.

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미국 에너지부 산하 로렌스 버클리 국립연구소가 사상 최초로 ‘초박형 이색 재료에서 손실이 거의 없이 전하를 이동시키는’ 전자 스위칭 시연에 성공했다. 이 실험은 실온의 저전류 전기장에서 이루어졌다. 이번 시연 성공으로 새로운 ‘위상 트랜지스터’ 개발에 한발 다가서게 됐다.

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하루가 다르게 발전하는 첨단과학 산업. 지금까지 경험하지 못한 특별한 기술이 우리나라에서 개발된다? 최소면적에 최대용량을 담는다! 새로운 대한민국 반도체 기술을 공개한다.

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오늘날에는 그다지 쓰이지 않지만 과학기술과 인류 문명 발전의 새로운 장을 연 중요한 기술들이 적지 않은데, 증기기관 등을 대표적인 예로 들 수 있을 것이다. 전기전자분야에서 그런 예를 든다면 진공관을 꼽을 수 있다.

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미국의 물리학자. 반도체의 표면현상을 이론적으로 연구했고 정류층 연구 도중 그의 협력자 브레튼과 함께 최초로 트랜지스터를 완성했다. 1956년도 노벨 물리학상을 수상했고, 초전도 이론(BCS이론)을 완성하여 1972년도에 다시 노벨 물리학상을 수상했다.

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휴대전화 등 웨어러블 기기에 활용할 수 있는 새로운 고성능 유연(flexible) 트랜지스터가 개발됐다.

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국내 연구진이 빛으로 전기신호를 제어할 수 있는 트랜지스터를 개발하는 데 성공했습니다. 연구팀은 우선 내부에 나노미터 크기의 작은 구멍이 있는 다공성 실리콘이 평소에는 전류가 흐르지 않다가 빛을 쪼여주면 전류가 천만 배 이상 증폭된다는 사실을 확인했습니다.

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최근 개발 중인 차세대 반도체 '스핀 트랜지스터'가 컴퓨터 성능을 획기적으로 끌어올릴 핵심 기술로 주목받고 있습니다.

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동적 램이라고도 하며 임의 접근 기억 장치(램)의 한 종류로 정보를 구성하는 각각의 비트를 각기 분리된 축전기에 저장하는 기억 장치이다.

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불순물의 확산을 써서 그림과 같은 모양으로 만든 트랜지스터를 말한다. 게르마늄 또는 실리콘의 웨이퍼를 에칭에 의해 계단 모양으로 깎아 내고 컬렉터 위에 베이스와 이미터를 주위면...