전원이 끊겨도 데이터를 보존하는 비휘발성 메모리로, 전기적인 방법으로 정보를 입출력한다.

대만 연구진은 상온에서 균일한 Ge 나노점 어레이를 만들 수 있는 새로운 방법을 개발했다. 게르마늄 나노점(nanodot) 또는 나노결정은 광발광 다이오드(LED), 광검출기, 비휘발성 메모리 등에 사용될 수 있다. 비휘발성 메모리의 경우에, 그들은 전하 저장 부위로 활용하기 위해서 산화물 층 속에 삽입된다. 이로 인해서, 그들은 긴 보유 시간과 작은 작동 전압을 가진다. 빠른 쓰기/제거 속도는 Ge/산화물 계면과 아주 얇은 터널링 산화물 층 사이의 큰 밴드 오프셋(band offset) 때문에 달성되었다. 그러나 이런 적용 분야의 경우에, 정밀한 제어가 필요하다. 이번 연구진은 상온에서 순수한 단일 결정인 Ge 나노점 어레이를 제조할 수 있는 새로운 방법을 개발했고, 이 연구결과를 Nanotechnology에 게재했다.

개인용 컴퓨터의 전원이 꺼짐과 동시에 직전까지 실행하던 작업 내용을 하드 디스크 드라이브에 자동적으로 보존하는 기능

더욱 빠르고 작고 친환경적인 컴퓨터, 현재의 정보처리 속도보다 1,000배 이상 빠른 컴퓨터를 만들 수 있는 새로운 연구결과가 발표되었다. 이는 실리콘을 새로운 상변환 물질로 바꿈으로써 가능하게 될 수 있다.

19세기 초반에, Charles Babbage는 종이 메모리를 처음 제안했다. 이것은 종이 카드의 홀이 있고 없음에 따라서 비트가 저장된다. 이번 연구진은 종이를 사용해서 메모리 장치를 만들었다. 이전 방법과 종이를 사용하는 것은 유사할 수 있지만, 천공이 아니라 나노제조된 구조를 이용해서 비트를 형성한다는 것이 다르다.