비휘발성 메모리

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전원이 끊겨도 데이터를 보존하는 비휘발성 메모리로, 전기적인 방법으로 정보를 입출력한다.

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대만 연구진은 상온에서 균일한 Ge 나노점 어레이를 만들 수 있는 새로운 방법을 개발했다. 게르마늄 나노점(nanodot) 또는 나노결정은 광발광 다이오드(LED), 광검출기, 비휘발성 메모리 등에 사용될 수 있다. 비휘발성 메모리의 경우에, 그들은 전하 저장 부위로 활용하기 위해서 산화물 층 속에 삽입된다. 이로 인해서, 그들은 긴 보유 시간과 작은 작동 전압을 가진다. 빠른 쓰기/제거 속도는 Ge/산화물 계면과 아주 얇은 터널링 산화물 층 사이의 큰 밴드 오프셋(band offset) 때문에 달성되었다. 그러나 이런 적용 분야의 경우에, 정밀한 제어가 필요하다. 이번 연구진은 상온에서 순수한 단일 결정인 Ge 나노점 어레이를 제조할 수 있는 새로운 방법을 개발했고, 이 연구결과를 Nanotechnology에 게재했다.

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개인용 컴퓨터의 전원이 꺼짐과 동시에 직전까지 실행하던 작업 내용을 하드 디스크 드라이브에 자동적으로 보존하는 기능

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더욱 빠르고 작고 친환경적인 컴퓨터, 현재의 정보처리 속도보다 1,000배 이상 빠른 컴퓨터를 만들 수 있는 새로운 연구결과가 발표되었다. 이는 실리콘을 새로운 상변환 물질로 바꿈으로써 가능하게 될 수 있다.

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19세기 초반에, Charles Babbage는 종이 메모리를 처음 제안했다. 이것은 종이 카드의 홀이 있고 없음에 따라서 비트가 저장된다. 이번 연구진은 종이를 사용해서 메모리 장치를 만들었다. 이전 방법과 종이를 사용하는 것은 유사할 수 있지만, 천공이 아니라 나노제조된 구조를 이용해서 비트를 형성한다는 것이 다르다.