대만 연구진은 상온에서 균일한 Ge 나노점 어레이를 만들 수 있는 새로운 방법을 개발했다.
게르마늄 나노점(nanodot) 또는 나노결정은 광발광 다이오드(LED), 광검출기, 비휘발성 메모리 등에 사용될 수 있다. 비휘발성 메모리의 경우에, 그들은 전하 저장 부위로 활용하기 위해서 산화물 층 속에 삽입된다. 이로 인해서, 그들은 긴 보유 시간과 작은 작동 전압을 가진다. 빠른 쓰기/제거 속도는 Ge/산화물 계면과 아주 얇은 터널링 산화물 층 사이의 큰 밴드 오프셋(band offset) 때문에 달성되었다. 그러나 이런 적용 분야의 경우에, 정밀한 제어가 필요하다. 이번 연구진은 상온에서 순수한 단일 결정인 Ge 나노점 어레이를 제조할 수 있는 새로운 방법을 개발했고, 이 연구결과를 Nanotechnology에 게재했다.
19세기 초반에, Charles Babbage는 종이 메모리를 처음 제안했다. 이것은 종이 카드의 홀이 있고 없음에 따라서 비트가 저장된다. 이번 연구진은 종이를 사용해서 메모리 장치를 만들었다. 이전 방법과 종이를 사용하는 것은 유사할 수 있지만, 천공이 아니라 나노제조된 구조를 이용해서 비트를 형성한다는 것이 다르다.